2E-p12

MgB₂薄膜の上部臨界磁場と不可逆磁場
Upper critical field and irreversibility field in MgB₂ films

九工大・情報工^A,東工大院・理工^B
°山内浩太郎^A,木内勝^A,小田部荘司^A,松下照男^A,内山哲治^B,井口家成^B
E-mail : yamauchi*aquarius10.cse.kyutech.ac.jp
Keyword(s) : MgB₂,薄膜,上部臨界磁場,不可逆磁場,臨界電流密度,

作製条件を様々に変化させたキャップメルト法MgB₂薄膜における上部臨界磁場B_c2と不可逆磁場B_iを評価した。T_cに関して最適な熱処理条件で作製した試料より幾分高い温度条件の試料のほうがB_i/B_c2の値は高温で高い特性となった。これらの原因と更なる特性向上に関しては当日発表する。