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YBa₂Cu₃O_7-δ/CeO₂/a-Al₂O₃薄膜におけるCeO₂バッファー層の膜厚と表面抵抗の関係
Relation between film thickness of CeO₂ buffer layer and the surface resistance of CeO₂/YBa₂Cu₃O_7-δ thin films on a-plane sapphire substrates

山形大工
°西村健,水戸俊喜,野口洋祐,齊藤敦,向田昌志,大島重利
E-mail : dat61000*dipfr.dip.yz.yamagata-u.ac.jp
Keyword(s) : YBCO薄膜,a面サファイア基板,誘導結合型スパッタリング,,,

　現在、超伝導フィルタは研究・開発が進み、その技術は実用段階にまできている。しかし、いまだコスト面での問題が残されているためアメリカ以外では実用化に至っておらず、本格的普及のためにはフィルタに用いる超伝導薄膜のコスト低減が最重要課題となっている。
　このようなことから、我々は基板面内においての誘電率の異方性が極めて小さいa面サファイア基板を基板材料として選択し、a面サファイア基板上のCeO ₂ ,YBCO薄膜のヘテロエピタキシャル成長条件について研究を行ってきた。
　サファイア基板上のYBCO薄膜の特性はCeO ₂バッファー層の結晶性に依存すると考えられる。そこで、CeO ₂バッファー層の膜厚によって表面状態や結晶性を変化させ、YBCOの表面抵抗R _S に与える影響の検討を行った。
　本実験では、YBCO薄膜の更なるR _S低減を目指してCeO ₂バッファー層の膜厚を変化させ成膜条件の最適化を行ったので報告する。