MgB2バルクにおける結晶成長と臨界電流密度 (2)
Crystal Growth and Critical Current Densities of Polycrystalline MgB2 (2)

日大理工
°前田穂,水野謙一郎,赤尾崇,内山大輔,川上隆輝,小林久恭,八十濱和彦,久保田洋二
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Keyword(s) : MgB2,Jc,結晶成長,bulk,Boron,
MgB2焼結体を作製した。試料の熱処理条件を1100℃,1-48時間とした。組成、形態、磁化の磁場依存性を、それぞれ、XRD、SEM、MPMSから求めた。臨界電流密度は、Beanモデルを用いて、磁化曲線から導出した。合成時に過剰なMgを作用させることによって、急速な結晶成長を起こし、臨界電流密度との関係を調査した。特に、粒径の違う二種類のB粉末で、結晶成長と臨界電流密度の変化の仕方が大きく異なった。