高密度MgB2バルクの臨界電流特性
Critical Current Properties of Highly Dense MgB2 Bulks
東大院工
°下山淳一、上田真也、山本明保、桂ゆかり、岩山功、堀井滋、岸尾光二
E-mail : shimo*sogo.t.u-tokyo.ac.jp
Keyword(s) : MgB2,臨界電流特性,密度,拡散法,ドーピング効果,
両端を封じたテープ状金属シース内でのMgとBの拡散反応によって、理論密度に対して85〜100％の高密度MgB2バルクを得ることに成功した。高密度化を反映し臨界電流密度が従来の2倍程度に向上したほか、各種ドーピングがピンニングに及ぼす本質的な効果が議論できるようになった。講演では、化学組成、微細組織とピンニングの関係を従来のポーラスなバルクと比較しながら紹介し、実用線材への展開の可能性を述べる予定である。