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REBa₂Cu₃O_y薄膜の臨界電流密度に及ぼす磁場印加角度と温度の影響
Influences of applied magnetic field and temperature on critical current density in REBa₂Cu₃O_y thin film

^A名大工,^B京大工,^C山形大工,^D電中研,^E東大工,^FJST-CREST
°一野祐亮^A,F,本田竜士^A,F,三浦正志^A,F,吉田隆^A,F,高井吉明^A,松本要^B,F,向田昌志^C,F,一瀬中^D,F,堀井滋^E,F
E-mail : ichino*nuee.nagoya-u.ac.jp
Keyword(s) : SmBa2Cu3Oy,混晶系,低温成膜法,Jc,磁場印加角度,ピンニング

我々はこれまで、磁場中で高い臨界電流密度(J_c)を示す超伝導材料開発の基礎検討として、MgO基板上にPLD法を用いてREBa₂Cu₃O_y薄膜を作製し、評価を行っている。特に最近、低温成膜(LTG)法によるSm_1+xBa_2-xCu₃O_y (Sm123)系薄膜や(Yb_1-zNd_z)Ba₂Cu₃O_y (Yb/Nd123)混晶系薄膜が磁場中でY123よりも高いJ_cを示すことを報告してきた。本研究では、これらの薄膜のピンニング機構について検討するため、磁場印加角度(θ：磁場とc軸のなす角)と測定温度を変えてJ_cを評価した。その結果、1 Tの磁場に対して、LTG-Sm123は印加角度に対するJ_cの変化が少なく等方的なピンニングであるが、Yb/Nd123はJ_c(θ = 0°)がJ_c(θ= 90°)を上回る傾向を示した。これらの挙動は、測定温度を変えても変化はなかった。以上から、これらの薄膜のピンニングセンターは、結晶欠陥に起因しており、LTG-Sm123とYb/Nd123でその形態も異なることがわかった。