高Jc, -Sm1+xBa2-xCu3Oy薄膜の厚膜化に向けた表面平坦性の改善
The improvement of surface flatness aimed at fabrication of a thick film of high-Jc Sm1+xBa2-xCu3Oy.

名大工A, 京大工B, 電中研C, 東大工D, 山形大工E, CREST-JSTF　
°三浦正志AF, 一野祐亮AF, 吉田　隆AF, 黒岩朋広AF, 高井吉明A, 松本要BF, 一瀬　中CF, 堀井　滋DF, 向田昌志EF
E-mail : m-miura*ees.nagoya-u.ac.jp
Keyword(s) : 薄膜,Ic,厚膜化,Sm,Jc,表面平坦性
超伝導薄膜は電力応用に向けて高Icが望まれる。そのためには厚膜化が必要不可欠である。我々は、MgO基板上に Sm1+xBa2-xCu3Oy薄膜の作製を行っている。現在のトップデータとしては2.1μmの厚さでIc*の値が520A/cm-widthという高い値を示している。また、我々は低温成膜法という新たな成膜法を用いて0.6μmの厚さで自己磁場下ではJc=8MA/cm2、5T B//cで実用線材のNbTiと同等のJc=を得ている。しかし、金属基板上での特性低下を考えると更なる厚膜化が必要である。一般に、膜厚とともにJcが低下する理由として膜厚とともに悪化する薄膜の表面ラフネス及び磁場侵入長を超える膜厚とそれ以下の膜厚おける磁束線の運動の違いによる影響などが挙げられる。今回我々は、前者の薄膜の表面ラフネスに着目し、一般的に置換が起こりやすく、ラスネスが小さいSm-rich層を導入することにより更なる高Ic化をw?行っている。