走査SQUID顕微鏡によるYBCO薄膜中の欠陥近傍の電流分布評価
Estimation of nonuniform current distribution near a transverse defect in YBCO thin film by use of scanning SQUID microscope
A九大院シス情,BSRL
°小柳智史A, 井上昌睦A, 木須隆暢A, 今村和孝A, 竹尾正勝A, 塩原融B
E-mail : s_koyana*super.ees.kyushu-u.ac.jp
Keyword(s) : 臨界電流,SQUID顕微鏡,ボルテックス,ピンニング,YBCO,非線形電流−電圧特性
YBCO線材においては、結晶粒界や欠陥等に起因した超伝導特性の不均一性が臨界電流特性を制限していることが明らかとなりつつある。特に欠陥近傍での電流集中は非線形な電流−電圧特性を反映して局所的な高電界損失発生につながる可能性があることから重要となるが、十分な評価は行われていない。本研究では、走査SQUID顕微鏡を用いて得られる磁気像より欠陥近傍の電流分布を定量的に評価するとともに、電界損失との対応について数値計算を含めた議論を行う。試料は単結晶基板上に作製したYBCO薄膜をマイクロブリッジに加工したもので、ブリッジ内にはスリット状の欠陥を入れている。ブリッジ幅は100マイクロメートル、スリット長はブリッジ幅方向に約40マイクロメートルである。10mAの直流電流を通電して得られたSQUID顕微鏡による磁気像では、スリット最深部において1ガウス程度の強い自己磁界が加わっている様子が観測された。また、電流が欠陥近傍に集中する様子についても得られている。詳細については当日報告する。 なお、本研究は地球環境国際研究推進事業における高温超電導利用における交流損失の評価・削減に関する研究開発ならびに超電導応用基盤技術研究開発の一環として、ISTECを通じて経済産業省ならびにNEDOの補助により実施したものである。