NiシースHg(Re)1223テープの開発
Development of Ni-sheathed Hg(Re)1223 tape
A
東大院工,
B
科学技術振興機構さきがけ
°
宮原由一
A
,亀野圭介
A
,上田真也
A
,下山淳一
A,B
,堀井滋
A
,岸尾光二
A
E-mail : tt46749*mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Keyword(s) : Hg1223,PIT法,Niシース,磁場配向,,
本研究ではHg(Re)1223の高い
T
c
と本質的に優れた磁場中臨界電流特性を生かすべく、そのNiシーステープの作製を行ない、仕込組成、合成条件と得られたテープの構成相、微細組織、超伝導特性との関係を系統的に調べている。これまでにHgに対するRe置換量25％の短尺試料において、テープ面に垂直な磁場下でも77 Kで9 Tと極めて高い不可逆磁場を達成しており、当日は強磁場を利用したテープ全体の高度
c
軸配向手法も含めて詳細を報告する。