単結晶化Nb薄膜を用いたジョセフソン接合作製 -オーバーレイアAl層のNb下部電極被覆性-

Fabrication of Josephson junction with single crystallizing Nb layer -Coverage of Al overlayer on Nb base electrode-


@諸橋 信一, 前川 昇司, 鈴田 雅敏, 佐藤 進

山口大学工学部


下部電極に単結晶化Nb薄膜を用いたジョセフソン接合の作製を行なっているが,多結晶Nb薄膜による接合に比べて良好なI-V特性は得られていない.そこで,Nb下部電極のオーバーレイアAl層の被覆性に着目し,Al堆積中あるいは堆積後に熱処理を行なうことにより被覆性の改善を試みた.