素線軌跡に着目したCIC型導体における偏流現象の数値解析

Numerical Analyses of Non-uniform Current Distribution in Cable in Conduit Conductors Based on Traces of Strands

@妹尾和威A,高畑一也A,三戸利行A,西嶋茂宏B

核融合研A,大阪大学B

核融合装置用大型超伝導コイルはCIC型導体などの大型超伝導導体で巻線される。抵抗ゼロの超伝導素線で並列回路を構成したとき、偏流が発生することはよく知られている。偏流の発生原因の一つは、数百〜数千本の素線の軌跡で決定される素線の自己インダクタンス、および相互インダクタンスの不均一である。 本研究では、CIC型導体における素線位置をモンテカルロ・シミュレーションにより決定し、その軌跡を元にインダクタンス計算並びに偏流計算を行った。その結果、偏流は主に横磁場によって引き起こされること、導体断面の変形が偏流を助長すること、および撚りピッチの組み合わせて偏流発生が著しく変化することを明らかにした。