ナノスケールY2O3アイランドを用いたYBCO薄膜への人工ピン導入
Introduction of Artificial Pinning Centers using Nano-scaled Y2O3 Islands
@松本要A,F,堀出朋哉A,F,長村光造A,一瀬中B,F,向田昌志C,F,吉田隆D,F,堀井滋E,F
京大A,電中研B,山形大C,名大D,東大E,CREST-JSTF
次世代線材の開発が活発化しているが，超伝導層であるYBCO薄膜のピンニング機構についてはまだ分かっていないことが多い．磁場中でのJcを上げるためにはピンの導入が必要であるが，まだその方法は明らかではない．われわれはナノ組織制御によってYBCO薄膜中に，人工的にデザインされた結晶欠陥を導入しJcを制御する方法の開発を行っている．本研究では基板上にナノスケールのY2O3アイランドを形成し，この上にYBCO膜を形成することでピンニング点となる結晶欠陥が導入されることを示す．この方法によってJcの増大が観測されており，導入された欠陥がピンとして作用しているものと考えられる．