MgB2薄膜の成長と超伝導特性に対するバッファ層効果

Buffer Layer Effect to Growth and Superconducting Properties of MgB2 Thin Film

@加藤 孝弘A,矢田 真治A,山中 一輝A,山田 容士A,久保 衆伍A,山田 裕B,松下 明行C,坂田 修身D,木村 滋D高田 昌樹D

島大総合理工A,新潟大理B,物材機構C,高輝度光科学研究センターD

転移温度（Tc=39K）を持つMgB2超伝導体は工学的応用が期待されている。MgB2薄膜合成は応用上重要であるが、as-grown薄膜ではバルク級のMgB2薄膜は得られていない。通常MgB2薄膜合成にはsapphire-C面基板が用いられるが、格子整合性の点からはエピタキシャル成長には不利であると考えられる。本研究では、sapphire-C面上および、MgB2と同様の六晶系の結晶構造であり格子整合性の良いTiZrバッファー層上へのas-grown MgB2薄膜合成について検討を行った。ここでは、得られた薄膜の成長と超伝導特性に関しての報告をする。