YBCO薄膜とニッケル分流層を並列接続した抵抗型限流素子のS/N転移過程 　-YBCO薄膜とニッケル分流層を並列接続しているインジウムブリッジの間隔の影響-

S/N transition in resistive fault current limiter using YBCO thin film and nickel shunt resistor　-Influence of spacing of indium bridges connecting YBCO thin film and nickel shunt resistor-　

@宮下宗丈,長尾真二郎,雨宮尚之,久保田宏A,芳野久士A,井上邦章B

横浜国立大学,東芝A,Super-GMB

　ピックアップコイルを用いてYBCO薄膜とニッケル分流層を並列接続した抵抗型限流素子のS/N転移過程の観測を行った。YBCO薄膜とニッケル分流層を並列接続しているインジウムブリッジ間隔を通常の10mmから20mmに変化させて比較検討を行った。 　インジウムブリッジで区切られたそれぞれの区間のIcを測定しIcの値とピックアップコイルの応答の順序の比較を行った。S/N転移はIcの低い区間で最初に起きると予想されたが、Icの値と応答の順序は比例していないことがわかった。 　S/N転移後の各区間のYBCOの抵抗値は区間の長さに比例していることがわかった。また、dI/dtを変えてYBCOの抵抗の比較を行ったが、dI/dtが大きいほど抵抗の発生の仕方が早いことがわかった。