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IBAD基板上への高配向PLD-CeO₂キャップ層の長尺化検討

Continuous of highly textured CeO₂ cap layer on IBAD tape for YBCO coated conductor

@室賀岳海^A, 渡部智則^A,宮田成紀^A,岩井博幸^A,山田穣^A,和泉輝郎^B,塩原融^B,加藤丈晴^C,菅原義弘^C,平山司^C

ISTEC-SRL-名古屋高温超電導線材開発センター^A,ISTEC-SRL-線材研究開発部^B,JFCC^C

IBAD基板上へPLD法でCeO₂キャップ層を成膜することによりCeO₂が自己配向することを発見し、これを利用してIBAD法の欠点であった遅い製造速度という課題を解決するため、[（短時間成膜のIBAD-GZO）＋（高速成膜PLD-CeO₂]中間層という新プロセスを提案して、中間層プロセスの高速成膜の可能性を見出してきた。今回、長尺化検討を行い、Δφが約16°の55m長IBAD-GZOテープ上へ、5m/hrの速度でテープを移動させながらPLD法によりCeO₂キャップ層を連続成膜して、Δφが約7°の中間層膜が得られた。