エピタキシャルYBCO膜中の単一欠陥近傍の電界集中：低温レーザ顕微鏡によるイメージングと解析解との定量的比較
Electric field distribution around a transverse defect in an epitaxial YBCO thin film
@木須隆暢A, B, 安永稔B, 徳富英明B,井上昌睦B, 竹尾正勝B
九州大学超伝導システム科学研究センターA,九州大学大学院システム情報科学研究院B
SrTiO3単結晶基板上に成膜したエピタキシャルYBCO膜中を用いて、印加電流と直交する方向に人為的な単一欠陥を設け、欠陥近傍の電界集中の様子を低温レーザ顕微鏡を用いて詳細に観測した。温度依存性および印加電流依存性の測定結果について、非線形なE-J特性を用いてMaxwell方程式より得られる解析結果との定量的比較検討を行った。得られた電界分布は、解析解と良い一致を示し、温度依存性はE-J特性のｎ値の変化によって定量的に説明できる。本結果より、低温レーザ顕微鏡によって超伝導体中の局所電界を数ミクロン程度の空間分解能で測定可能であることが明らかとなった。