柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性

Pinning property of Bi-2212 single crystals with columnar defects

九工大・情報工^A,原研^B
@和田 浩志^A, 岡村 和憲^A, 小田部 荘司^A, 安田 敬^A, 松下 照男^A, 岡安 悟^B

　 Bi-2212単結晶にNiイオンを照射する前と照射して柱状欠陥を導入した後の臨界電流密度を測定し、その結果を磁束クリープ理論を用いて検討するとともに、これから求めた凝縮エネルギー密度から2次元的超電導体のブロック層における超電導性を議論する。