C面サファイア基板を用いたYBa₂Cu₃O_7-δ薄膜の作製と評価

Growth of YBa₂Cu₃O_7-δ thin films on c-sapphire substrate

山形大学工学部
@白川 政信, 楠 正暢, 向田 昌司, 大嶋 重利

　 R面サファイア基板は、基板面の軸方向に対して誘電率・誘電損失など諸定数が異なる。このことは、フィルタなどのマイクロ波デバイスの設計を複雑にする。そのため我々は、基板方向に対して異方性のないC面サファイア基板上に、YBa₂Cu₃O_7-δ(YBCO)薄膜の作製を試みた。バッファー層には、CeO₂を用いた。YBCOは、基板面に対しc軸配向したが、面内方向に対しては無配向であった。この超伝導特性は、R面サファイア基板を用いたものと比較してTcに16Kの差が生じた。 　そこで、YBCOの基板面内配向を一方向に揃えるため、C面傾斜サファイア基板を用いてYBCO薄膜の作製を行ったので報告する。。