Critical Current in YBCO Superconducting Thin Films Prepared by PLD
京大・工, 超電導工研A
@松本 要, 浅野 哲也, 長村 光造, 平林 泉A
Y系薄膜線材の開発において磁束ピンニングの制御技術が重要である。しかし現時点でもY系薄膜中の主要な磁束ピンニング点は特定されていない。ここではMgO(100)およびSrTiO3(100)基板上にYBCO薄膜をPLD法によって成膜し、臨界電流Icの印加磁場角度依存性を調べ、その磁束ピンニング機構を検討した。薄膜のIcは印加磁場角度に強く依存し、ab面に平行に磁場をかけた時に最も大きくなる。さらに磁場を強くしていくとc軸に平行に磁場をかけた時にもIcのピークが現れる。これはc軸方向に何らかの磁束ピンニング点が導入されていることを示唆している。基板の種類、あるいはPLDの成膜条件を変えた試料について比較検討を行う。