超伝導薄膜，バルク材における臨界電流密度と第三高調波誘導電圧

Critical current density and 3rd harmonic voltage in superconducting films and bulk materials

産総研

@馬渡 康徳, 山崎 裕文, 中川 愛彦

　 大面積超伝導膜などの臨界電流密度 J_c を局所的・非破壊的に評価するのに，正弦波交流電流 I₀ と第三高調波誘導電圧 V₃ とを測定する「誘導法」が広く用いられている．この測定方法は，大面積薄膜のみならず，長尺テープ，大型バルク材においても用いることができれば便利であるが，全く同じ方法により J_c を評価することができるかどうか明らかではない．本研究では，微少コイルにより交流磁場を印加したときの大面積超伝導体の応答について臨界状態モデルをもとに理論解析を行い，特に，薄膜とバルク材とで (すなわち試料の厚さ d などの違いによって)，I₀-V₃ 特性がどのように異なるか検討した．その結果，前回 (E1-1) に報告した結果はバルク材の特性を表しており，薄膜の場合の I₀-V₃ 特性は違ったものになることが明らかになった．薄膜やバルク材における実験結果と理論とを比較しながら， I₀-V₃ 特性や J_c の評価方法について検討を行った．