Preparation of MgB2 thin films by Pulse Laser Deposition and post-annealing
物質・材料研究機構
@小森 和範, 川岸 京子, 高野 義彦, 有沢 俊一, 松本 明善, 熊倉 浩明, 戸叶 一正
PLD法とポストアニーリング処理により，MgB2薄膜を作成した．基板にYSZをバッファ層として堆積させたハステロイテープを用い，Mg：B=1.5-2.5：1の比率で成膜後，550-660℃の熱処理を加えることで，Tc0=25-28Kの超伝導性を示した．この薄膜のTransport Jcを4.2Kで測定したところ，膜面に平行に10Tの磁場印可に対して1.1x105A/cm2の値を示した．