Influence of columnar defect density to electrical transport properties in high-Tc superconductors
熊本大学工学部A,熊本県工業技術センターB,日本原子力研究所C
米村 洋幸A, 木崎原 智仁A, @末吉 哲郎A, 藤吉 孝則A, 宮原 邦幸A, 三野 辰彦A, 池上 知顯 A, 蛯原 健治A, 宮川 隆二B, 石川 法人C
重イオン照射によって高温超伝導薄膜の柱状欠陥密度を人工的に制御し,欠陥密度の異なる電流-電圧特性のスケーリングパラメータを調べた.その結果,動的臨界指数が柱状欠陥の導入,また欠陥密度の上昇によって増加した.この動的臨界指数の変化は,ピン力の分布を考慮したパーコレーション遷移モデルで説明することができる.