マイクロ波デバイス用各種バッファ層上のYBa₂Cu₃O_7-d薄膜の結晶性

YBa₂Cu₃O_7-d film crystalinity grown on several buffer layers for microwave device application

山形大学
@向田昌志,山嵜裕弥,新海優樹,海野純一,楠正暢,大嶋重利

　 マイクロ波デバイスに用いる超伝導薄膜には、低い表面抵抗が要求されている。これまで我々は、薄膜の結晶性と表面抵抗との関係を明らかにしてきた。その結果、低い表面抵抗は高品質薄膜により実現できることを示してきた。現在、我々はマイクロ波デバイス用超伝導薄膜の高品質化を目指して、レーザー蒸着法によりMgO基板上に各種バッファ層を介してYBa₂Cu₃O_7-d薄膜を成長させている。今回、MgOと格子整合性の異なるperovskite系バッファ材料であるSrSnO₃、BaSnO₃、BaZrO₃等を用い、その結晶性を調べるとともに、その上に成長させたYBa₂Cu₃O_7-d薄膜の結晶性との関係を明らかにし、バッファ層の選択指針を抽出したので報告する。