Pulsed Field Magnetization of Bulk Superconductors and Trapped Field Distributions
いわて産業振興センター,イムラA,名大B,岩手大C
@岡徹雄,横山和哉,伊藤佳孝A,柳陽介A,吉川雅章A,生田博志B,水谷宇一郎B,能登宏七C
溶融法によって作製した大型のバルク超電導体を冷凍機を用いて３０Ｋに冷却し、これにパルス磁場を印加して励磁を行なった。この際のバルクへの磁場侵入をピックアップコイルとホールセンサによって測定し、バルクの微細組織の不均一性によって生じるＪｃの分布を反映したパスを磁束が通ることにより、磁場侵入が不均一に起こることを観測した。このパスの存在のおかげで、低温でのバルクへの磁場侵入はゼロ磁場冷却で必要とされる印加磁場よりもはるかに小さい磁場強度で着磁できることを示す。この知見を基にＩＭＲＡ法とよぶ反復パルス着磁法によって、対向する磁極間のオープンな空間に３Ｔ以上の強力な磁場が発生できたことを示す。