Preparation and characterization of YBCO films by post-annealing of precursor films including BaF2 at low pressure of oxygen atmosphere
電中研,物・材研A,九大B,東海大C
@一瀬 中,菊池章弘A,木須隆暢B,太刀川恭治C,秋田 調,井上 廉A
Y、BaF2、Cuを原料に用いてYBCO膜の前駆体膜を室温で作製し、結晶化の熱処理は純酸素のみを導入し水蒸気は導入せずに減圧酸素中で行った。この作製方法により、膜厚約200nmのYBCO膜を作製した。得られたYBCO膜はほぼ膜全体がエピタキシャル成長していることが透過型電子顕微鏡により確認された。また、四端子法で測定した77K、自己磁場中の臨界電流密度(Jc)は1MA/cm2を超える高Jc膜が得られた。当日は、Jc-B特性および厚膜化について報告する。