MgB2の臨界電流特性へのドーピング効果

Doping Effect on the Critical Current Properties of MgB2

東大院工
@上田　真也、山本　明保、下山　淳一、堀井　滋、岸尾　光二

　 我々はMgB2バルクの臨界電流密度、不可逆磁場の改善を化学組成、組織の制御によって試みている。Mg、Bの混合粉末、または市販のMgB2粉末とMg, Bの混合粉末 から焼成する方法で、遷移金属、希土類元素、Si, C, Znなど多くの元素添加効 果を調べている。これまでのところ、800℃近傍を焼成する場合には微量Nb添加 が臨界電流特性改善に有効であることを見出している。