柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性(2)-凝縮エネルギー密度-

Pinning property of Bi-2212 single crystals with columnar defects (2) -condensation energy density -

九工大・情報工^A,原研^B
@岡村和憲^A,和田浩志^A,小田部荘司^A,安田敬^A,松下照男^A,岡安悟^B

　 最適ドープ状態の試料とオーバードープ状態のBi-2212単結晶試料にNiイオンを照射し円柱状欠陥を導入した。その試料の臨界電流密度の測定結果と磁束クリープ理論より凝縮エネルギー密度を求め、それと2次元超伝導体における次元性との関係を議論する。またY-123の凝縮エネルギー密度を求め考察を行う。