走査型ホール素子法による誘電体基板上高温超電導厚膜の臨界電流密度の非破壊評価法

Non-destructive evaluation of critical current density for screen-printed Bi2223 thick films on Ba(Sn,Mg,Ta)O₃ dielectric disk using a scanning Hall-sensor.

豊橋技術科学大学^A，（株）村田製作所^B

@神吉　智浩^A，鷲本大樹^A，加藤範洋^A，太田昭男^A，金高裕仁^B

　 誘電体基板上に成膜した高温超電導厚膜の臨界電流密度の非破壊評価は、マイクロ波デバイス等への応用と関連し重要な意味を持つ。本研究では、実用誘電体基板上Bi系2223相超電導厚膜の完全臨界状態における表面残留磁場分布を走査型ホール素子法により液体窒素温度で測定し、電磁気学的考察に基づいて臨界電流密度Jcを算出した。得られた結果は通電法による実測Jc値と良い一致を示し、磁場分布からJc値を非破壊的に評価できることが分かった。