Bi2212超伝導体の臨界電流密度

Critical current densities for Bi2212 crystals

東京都立大学大学院　工学研究科　電気工学専攻

@笹倉宏樹, 三浦大介, 伊藤大佐

　 Bi2212超伝導体の臨界電流密度は高温高磁場において著しく低下する。こうした特性を改善するためには有効なピンニングセンターの導入が不可欠である。またピンニング力の向上のためには凝縮エネルギーの差を増大させることが有効である。この凝縮エネルギーの差を増大させる方法としてBi2212結晶の電磁気的異方性の減少が有効であると考えられる。こうしたピンニング力向上について検討する。