V₃Ga・V₃Siにおける超伝導臨界温度の組成依存性

Compositional Dependence of Superconducting Transition Temperature in V₃Ga and V₃Si

明星大先材研,明星大理工^A

阿部聡子,門倉貴浩^A,篠田哲守,@清宮義博

　 A15型化合物超伝導体であるV₃GaとV₃Siについて，固溶域内での組成の変化に伴う超伝導臨界温度の変化を調べた．その結果，これまで報告されてきた結果とは異なり，V-rich側に組成がずれる限りでは，臨界温度は低下しないことがわかった．このような臨界温度の挙動を，粉末Ｘ線回折から求めた長範囲規則度と格子定数をもとに結晶学的な観点から考察する．