Development of the Al Stabilized Nb-Ti CICC for ISTECビMES
日立電線A,日立製作所B,九州電力C,中部電力D,ISTECE,東京大学F
@宮下克巳,細野史一,菊地賢一,鎌田圀尚A,浅野克彦B,本田和男,堤克哉C,平野直樹,長屋重夫D,北畠慎也,坂口秀治E,大崎博之F
ISTEC・SMES系統安定化用強制冷却Al安定化Nb-Ti導体について報告する。 安定性向上のため、個々の素線周囲に厚さ0.32mmの高純度Alを被覆し、加えて素線間結合損失低減のため、Al表面に酸化皮膜処理を施した。また、長時定数の交流損失発生を防止するため、撚線構造は(6+1)×(6+1)本構造の２次撚線とした。 CIC導体の臨界電流は、28.9kA at 5.66T、計算により求めた制限電流値は10.4kAとなり運転電流9.6kA以上であることを確認した.Al被覆した素線のMQE測定の結果、実際のSMES運転電流相当時の素線MQEは数十mJに達し、Al被覆無しの素線に比較して１桁安定性が向上可能なことを確認した。 素線および(6+1)本・1次撚線の交流損失測定結果から、フル導体（2次撚線）の交流損失が仕様値を満足することを確認するとともに、Al表面の酸化膜処理により素線間の結合損失が低減可能であることを確認した。