サファイア単結晶基板上HoBCO膜のJc特性

Jc properties of HoBCO thin films formed on sapphire substrates

住友電工^A,Super-GM^B

@母倉修司^A,大松一也^A,武井廣見^A,小沢保夫^B

　 SN転移型薄膜限流素子に適用することを目的に、サファイア単結晶基板上の超電導膜の開発を実施している。超電導体はHo1Ba2Cu3O7-xを用いて、レーザー蒸着法により、約0.8ミクロン厚の１２３相を形成した。臨界電流密度を液体窒素中にて誘導法および通電法により評価した結果、誘導法では約４MA/cm2(77K,0T)、通電法では約２MA/cm2(77K,0T)の値が得られた。