表面酸化エピタキシー(SOE)基板上でのBaF₂含有前駆体の熱処理によるYBCO成膜

Preparation of YBCO film by post-annealing of precursor film including BaF₂ on surface-oxidation epitaxy (SOE) processed substrates

古河電工^A,超電導工学研究所^B

@渡部智則^A,大橋泰和^A,三村正直^A,尾崎正則^A,和田克則^A,前田敏彦^B,平林泉^B

　 表面酸化エピタキシー(SOE)法によって作製した2軸配向NiO層上へのYBCO超電導体の成膜を検討している。2軸配向NiO層上にCeO₂やSrTiO₃のキャップ層を形成し、続いて前駆体としてY,BaF₂,Cuの混合膜をキャップ層上に成膜した後、水蒸気を導入した熱処理によってYBCOの結晶化を図った。今回は、キャップ層の配向と結晶化したYBCOの評価について報告する。また、SOE基板開発の進捗も報告する。