211相の微細化によるRE-Ba-Cu-O (RE:Y, Dy) 系超電導バルク材料の臨界電流密度の向上


超電導工研
@成木紳也,坂井直道,村上雅人


  850-1000℃の種々の温度で仮焼したRE211原料粉 (ここで,REはYまたはDy) を用いて,RE-Ba-Cu-O系バルク体を大気中で作製し,原料粉の粒径がバルク体の微細組織および超電導特性にどのような影響を与えるのか調べた。以前報告したGd系の場合と同様に,Y系およびDy系においても仮焼温度の比較的低い,微細なRE211仮焼粉を原料として使用することにより,バルク体中の211相が微細化し,Jcを向上できることが分かった。例えば,Dy系においては850℃で仮焼したDy211原料粉を用いることにより,77K,0Tで6万A/cm2以上の高いJcを得ることができた。