京大工 @星野勉, 伊東裕一, 中村武恒, 牟田一彌
我々はこれまでに、カプトン絶縁型の超電導パワーエレクトロニクス素子を試作し、その特性の評価を行ってきた。これまでに作成してきた素子では、スイッチング動作時のヒータ効率の低さが大きな問題であった。そこでテフロン膜を圧着する方法を用いて、ゲート熱抵抗の低減を試みたので、その概要について報告する。