京大工 星野勉, @伊東裕一, 中村武恒, 牟田一彌
我々はこれまでに、カプトン絶縁型の超電導パワーエレクトロニクス素子を試作し、その特性の評価を行ってきた。これまでに作成してきた素子では、スイッチング動作時のヒータ効率の低さが大きな問題であった。そこでさまざまな方法で、ゲート熱抵抗の低減を試みているが、その比較の元となる標準データを取得すべく、素子を試作して、特性を測定したので、その概要について報告する。