山口大学工学部 @山田 博,岩本忠司,原田直幸,浜島高太郎
スパッタ法により成膜したNb膜にフォトリソグラフィーを行い、間隔4μmの周期的なピンニングセンターを導入した。臨界温度近傍における磁化特性に約0.1mTの間隔で磁化のピークが現れた。磁束線格子の間隔は0.1mTにおいて4.9μmとなることより、この磁化のピーク特性は磁束線格子とのマッチング効果であると考えられる。