次世代強磁場酸化物超伝導マグネットの開発 II


日立・日立研,東北大・金研A
@和久田毅,岡田道哉,淡路智A,渡辺和雄A


  現状のBi系銀シース線材は、電磁力歪み(フープストレイン)によって超電導電流輸送特性は容易に劣化し、その許容歪み量はおよそ0.2%以下となっている。30T級の超電導マグネットを想定する場合、この非常に小さな許容歪み量によって発生できる磁場が制限されていると言ってよい。今回、外径φ280のBi2212パンケーキコイルにおいて、電磁力歪みをキャンセルする方向に予め歪みを与えておき、見かけ上許容歪み量を増加させることに成功したので報告する。また、本方法を用いた30T級マグネットの概念設計についても言及する。