東北精機工業A,山形大工B
@高野祥暢A,佐藤周平B,鈴木敏幸B,楠正暢B,向田昌志B,大嶋重利B,横尾政好A
高温超電導薄膜の表面抵抗が増大する要因として、基板の格子不整合性による薄膜中結晶軸のゆらぎや、それによって生じる傾角粒界、弱結合部等が考えられる。我々は、低誘電損失基板上にエピタキシャル成長させたYBCO薄膜の高周波表面抵抗に与える面内結晶性の影響を調べたので報告する。結晶性の評価にはＸ線回折法を用い、通常の２θ/θ測定に加え、面内結晶性について（102）面を用いたφスキャンの半値幅から検討を行った。この結果、エピタキシャル成長したYBCO薄膜の面内結晶性と表面抵抗には強い依存性があり、φスキャンの半値幅が狭くなればなるほど低温領域における表面抵抗の値が小さくなることを確認した。また結晶粒径をAFMで観察したが、結晶粒径とRsの相関はそれ程認められなかった。