Gd-Ba-Cu-O系超電導バルク材料の超電導特性に及ぼすGd211添加量の影響

超電導工研
@成木紳也,坂井直道,宮本　毅,村上雅人

　 Gd123:Gd211=10:x (x=2-8) の種々の組成比を有するGd-Ba-Cu-O/Ag系超電導バルク材料をOCMG法により作製し，Gd211添加量とバルク材のJ_cおよび捕捉磁場特性との関係を調べた。J_cはxとともに増大し，X=7で最大となった。このときの77K, 0TにおけるJ_cは約10万A/cm²に達した。さらに直径32mmの大型単一ドメインバルクを作製し，77Kでの捕捉磁場密度を調べた結果，x=4の場合には1.5T，x=5の場合には1.85TとJ_cの向上に対応して捕捉磁場が高くなる傾向がみられた。x=6以上のGd211を含むバルク体の捕捉磁場特性についても現在検討中である。