山形大学工学部電子情報工学科,東北大学金属材料研究所A
@菅野慎介,河合崇,佐藤周平,山田博信,相澤慶二,楠正暢,向田昌志,大嶋 重利,林成行,西嵜 照和A,小林典男A
現在、磁束量子がHoppingにより移動するというが報告例が出されている。我々は、Bitter法によってこの現象を観察するため、磁性体の蒸着時間を変化させて実験を行った。この結果、蒸着時間の変化に対して磁束量子の痕跡の密度変化が確認された。これは磁束量子の熱的揺動によるHoppinng移動の結果、一つの磁束量子が複数の領域にまたがって観察されたためと考えている。また磁束量子格子の乱れは、こういった無秩序な磁束量子の移動の影響が大きいと考え、観察温度、及び印加磁界を変化させて実験を行い、温度-磁界と磁束量子分布の相関について検討している。なお試料はY-123単結晶を用いた。