YBCO薄膜における磁束ピン止めと臨界電流密度の測定

岡山理大・理,山形大・工^A,Wright StateUniv.^B
@藤原達道,藤井佳子,鈴木貴大,金亨則,千葉和秋^A,向田昌志^A,Gregoly Kozlowski^B

　 Y123薄膜における磁束ピン止めをバイブレーティングリード法により測定した。温度(4.2K〜100K),磁場(0〜4T),c軸と磁場とのなす角度(0°〜90°)の関数としてピン止めの外れる温度(T_d)を測定した。また磁場をc軸方向にかけて共振周波数を測定し、これより臨界電流密度(J_c)の磁場依存性を温度をパラメータとして算出した。4種類の薄膜試料について測定を行ったが、いずれの試料も高いT_dとJ_cを示し、c軸配向性が良くかつ有効なピン止めセンターを有していることがわかった。