溶融法で作製したNb₃Al単相ターゲットによるNb₃Al薄膜

Sputtered Films With A Single Phase Nb₃Al Sputtering Target Made By Melting Process

電総研,^Aフジクラ
@我妻洸,立石裕,新井和昭,^A武田薫,^A後藤謙次

　 現在Nb₃Alは主にゼリーロール法やNbパイプ法などにより線材化に成功している。これは膜厚を薄くしNbとAlの熱拡散パスを数10nm程度まで小さくし、1000℃以下の低温度でもA15相を生成出来る為と考えられている。従って、スパッタや粉末冶金によりNbとAlを数10nm程度以下の薄い多層の膜や粒を作成し、これに熱拡散処理を施せば、Nb₃Alを作成出来る可能性が有ると考えられる。我々は、Nb₃Alのスパッタによる薄膜作製を試みてきた。今まで、Nb-Al化合物合金のσ相（Nb₂Al)とNbから成るターゲットを試作し、中間相としてNb₃Alだけが出来るように試みたが、その結果は、Al₂O₃単結晶基板上のスッパタ膜はが900℃×1時間の熱処理で超電導特性を示したが、臨界温度は約約8.5Kと低く、改善が必要であった。 今回は溶融法で作製したNb₃AlのA15単相ターゲットを用いて、Al₂O₃およびMgO単結晶基板上にスパッタ膜を作成し、850℃×1時間の熱処理で臨界温度約13.8Kの試料が得られたので報告する。