Design Study of 1GJ HTS-SMES(2)
(株)富士電機総合研究所,富士電機(株)A,九州電力(株)B,九州大学C @富岡章,坊野敬昭,能瀬眞一,八木裕治郎A,林秀美B,堤克哉B,岩熊成卓C,船木和夫C
強制冷却CIC導体を採用し、コイル形状は変形D型、トロイド配置とし、1GJ級HTS-SMESの概念設計を行った。導体量の低減の観点から最大磁界をパラメータにした結果、10T程度が最適であることが判明した。この時の通電損失、必要冷却量などを報告する。