Anisotropic transport E(J) characteristics in Bi2223 Ag sheathed tape as a function of temperature and magnetic field
九州大学大学院システム情報科学研究院A,九州工業大学情報工学部電子情報工学科B
@西村昭一A,小田和弘A,井上昌睦A,木内勝A,木須隆暢A,竹尾正勝A,松下照男A,B
高温超伝導体はなまった電界(E)-電流密度(J)を示すため、非線形抵抗体としての取り扱いが重要である。例えば、臨界電流密度Jcより小さな通電電流に対しても有限の損失を発生するし、逆に十分な冷却状況下においてはJcよりかなり高い通電電流に対しても安定した通電が可能である。しかしながら、高温超伝導体のE-J特性は温度、磁場、さらには磁場の印加方向に対して複雑に変化する。本研究では、Bi2223銀シーステープ線材のE-J特性を磁場をテープ面に対して垂直と平行に印加した場合について広い温度磁場範囲で測定した。さらに得られたE-J特性を我々が提案する統計モデルを用いて解析を行った。その結果、両方の磁場印加方向の特性に対して、磁場を各々の温度における転移磁場で規格化することによりピン力密度の磁場依存性がスケールすることが観測された。また、転移磁場の温度依存性は2次元d波対称性の予測から記述可能であることを示した。本モデルを用いることにより、任意の温度、磁場依存性、そして磁場印加角依存性を記述することが可能である。