Bi-2212超電導単結晶試料内の遮蔽電流分布

九工大・情報工A,九大院シス情B,東大・工 C

@山浦俊介A,松下照男A,B,小田部荘司A,中山有理C,下山淳一C,岸尾光二C


 アンダードープしたBi-2212超電導単結晶では磁束線系の1次相転移磁界よりも高い不可逆磁界が報告されているが、この不可逆性が試料の表面ピンニングによる可能性が指摘されている。その場合、得られた相図がバルクな磁束線系の特性を表したものとは言えず、より厳密な測定が必要となる。ここではそのようなアンダードープしたBi-2212単結晶について表面ピンニングの有無を調べるためにCampbell法を用いて試料内の遮蔽電流分布を測定した。