ヴァイブレーティングリード法によるY123薄膜の磁束ピン止め測定

岡山理大.理,大阪大.理A,Wright State Univ.B

@藤原達道,鈴木貴大,金亨則,前田実,藤井佳子,重松利信A,Gregoly KozlowskiB


 試料はY123、Agを添加したY123、Y123薄膜間に数原子層のNdをはさんだものの3種類で、それぞれの膜厚は3000,1400,3000(A)である。これらの試料はPulse Laser Deposition(PLD法)により基板に蒸着されている。我々はVibrating Reed法を用い、4〜100Kの広い温度範囲にわたり5Tまでの磁場下で、CuO2面と外部磁場との角度を変えながら測定し、測定結果より臨界電流密度Jcを算出した。各試料についてのJcを比較し、考察する。