Bi系超伝導バルクにおいてMgO粒子を導入することで臨界電流密度が向上し、磁束ピン止め特性が改善されると報告されているが、その手法をY123超伝導バルクに適用できるかを考察することが本研究の目的である。MgO粒子の1wt.%程度の添加で、Y123の臨界温度が低下し、EPMAなどによる分析から、MgO粒子がY123と反応していることが明らかになった。臨界電流密度、磁束ピン止め特性などに関する考察を当日報告する。