仙台電波高専A,東北大通研B,東北大未研セC,科技団戦略研D
@近藤忠之A,水柿義直B,D,陳健B,D,中島健介B,D,山下努C,D
RF信号Irfを磁界変調成分として、またIΦをオフセット磁界成分BdcとしてSQUIDに印加するRf-Field-Driven SQUID(RFDS)の高周波応答特性について数値解析を行っている。RFDSはIrfの振幅に依存して、Bdc=0.5Φ0（Φ0は磁束量子）のときには奇数次の電圧ステップが、Bdc=0Φ0のときには偶数次の電圧ステップがそれぞれエンハンスメントされるという効果を有する。我々が実験で得たYBCO粒界接合におけるテラヘルツ応答の磁界変調特性は、RFDS modelを用いた計算との良い一致を示している。RFDSの高周波応答特性において特に注目すべき特徴は、規格化周波数Ω(=hf/2eICRN)<１において単接合よりもはるかに大きなステップが得られることであり、信号検出器、ミキサ、論理デバイス等の高周波デバイスに応用した場合には高感度化が期待される。現在、RFDSのミキサ応用について検討を進めており、当日はRFDSの基本的な高周波応答特性と、ミキシング特性について述べる。