我々はこれまでに、カプトン絶縁型の超電導パワーエレクトロニクス素子を試作し、その特性の評価を行ってきた。これまでに作成してきた素子では、スイッチング動作時のヒータ効率の低さが大きな問題であった。そこで真空蒸着法を用いて、新しい構造の素子の試作を行いゲート熱抵抗の低減を試みたので、その概要について報告する。