高温超伝導体の磁束グラス-液体転移温度近傍における内部磁束分布と交流損失

熊大工,有明高専A,九大シス情B

@大橋一慶,藤吉孝則,山藤馨A,木須隆暢B


 高温超伝導体の交流損失を見積もるには、超伝導体内の電磁界分布を解析する必要がある。従来、超伝導体の交流損失には、電界基準で定められた臨界電流密度Jcを使ったBean modelを用いていたが、実際の高温超伝導体の交流損失では、周波数依存性が見られ、Bean modelでは正確に評価できない。これは、高温超伝導体の場合、電流電圧特性が、非線型であることが考えられる。そこで、本研究では、高温超伝導体特有の非線型な電流電圧特性を用い、数値的に解析を行った。また、Bean modelにおいて、Jcに周波数依存性を考慮させ、磁束グラス-液体転移温度近傍における交流損失の評価を行った。